Транзисторы в Одессе
Технические параметры: Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 200(pulse) Напряжение насыщения...
Тип: Электронные компоненты
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Пара транзисторов C6144 A2222 для Epson ЛОТ 20 штук Совместимость принтеров: Epson L210, L350, L355, L222, L382, L362 парт номер: C6144 - A2222
Транзистор IRFZ44NPBF N-канал 55В 41А [TO-220AB] Технические характеристики: Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 50 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов LM317T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог UPC317 схема ECG1900 характеристики цоколевка datasheet LM317 LM317Т – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора:...
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1 Напряжение изоляции...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке:...
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20...
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W...
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный...
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В...
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N....
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Особенности: Его можно широко использовать для обнаружения NPN и PNP транзисторов, конденсаторов, резисторов, диодов, триодов, n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов, IGBT, JFET, триаков и аккумуляторов и т. д. Он также может...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Применяются для ремонта ЭУР (Электрического усилителя руля) в автомобиле LADA (ВАЗ) Granta. Технические характеристики: Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 30 Максимальный ток...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора:...
В комплекте 2 штуки новых деталей D882 транзистор (2 шт.) SOT-89 SMD аналог BD131 схема BD185 характеристики цоколевка datasheet 2SD882 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-600B транзистор (2 шт.) TO-3P аналог CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-600В описание Тиристор BTA41-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF520N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1927 схема IRFW520A характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF520N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Комплект из 10-и MMBT3904 Биполярных транзистора для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,2 А, минимальный коэффициент...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30...
В комплекте 2 штуки новых деталей B772 транзистор (2 шт.) SOT-89 SMD аналог BD132 схема BD186 характеристики цоколевка datasheet 2SB772 Характеристики транзистора 2SB772 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор оригинальный. Заводского качества. Фото НЕ из интернета! Архитектура: MOSFET Проводимость: n-p-n
В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Тип: Электронные компоненты
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально...